Qualcommはハワイで開催された「Snapdragon Technology Summit」にてハイエンドスマートフォン向けSoC「Snapdragon 845」を発表しました。
さらなる性能向上を実現へ
Snapdragon 845の主な特徴は以下の通りです。
- 2.8GHzの高性能コア×4、1.8GHzの高効率コア×4の8コア
- CPU性能25%向上
- GPU性能30%向上
- 電力効率30%向上
- ディスプレイスループット2.5倍高速化
- リフレッシュレート120Hz、2K×2Kディスプレイ対応(VR向け)
- 4K/60fps/HDR/10bit色深度ビデオ撮影対応
- 720p/480fpsスローモーションビデオ撮影対応
- 1600万画素/毎秒60フレーム写真撮影対応
- 最大1.2Gbps(下り)LTE通信対応
- 最大4.6Gbpsの60GHz帯802.11ad Wi-Fi通信対応
- 最大3倍高速化されたAIチップ
- 完全に隔離されたSPUによるセキュリティ強化
CPU・GPU・電力効率は前回のSnapdragon 835のときより向上しており、確実に性能を高めていることがわかります。
Qualcomm、CPU・GPU性能20〜25%向上、25%省電力な「Snapdragon 835」を発表!
Qualcommは米国のCES 2017にてハイエンドスマートフォン向けSoC「Snapdragon 835」を発表しました。
その他、AI処理性能やセキュリティ面、VRのためのディスプレイ性能などの強化も行われ、今後の重要となる機能の向上も実現していることがわかります。
新たに発表されたSnapdragon 845で気になるのがベンチマークスコアですが、AppleのA11 Bionicチップが半端じゃない性能向上を果たし、Snapdragon 835を圧倒的に凌駕するスコアを実現していたので、これを超えることができるのかどうかがかなり気になるところです。
Snapdragon 835搭載デバイス(Galaxy S8など)とA11チップ搭載iPhone 8のベンチマーク比較(画像参考:Tom’s Guide)
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